6月20日，比亞迪半導(dǎo)體宣布推出全新1200V 1040A SiC功率模塊，據(jù)介紹，該功率模塊克服了模塊空間限制的難題，在不改變?cè)心K封裝尺寸的基礎(chǔ)上將模塊功率提升了近30%，主要應(yīng)用于新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器。

據(jù)了解，此次比亞迪推出的全新功率模塊采用了雙面燒結(jié)工藝，即SiC MOSFET上下表面均采用燒結(jié)工藝進(jìn)行連接，相比傳統(tǒng)焊接工藝模塊，新工藝連接層導(dǎo)熱率最大可提升10倍，可靠性可提升5倍以上。該功率模塊芯片上表面采用燒結(jié)工藝，因燒結(jié)層具有高耐溫特性，SiC模塊工作結(jié)溫可提升至175℃，試驗(yàn)證明，其可靠性是傳統(tǒng)工藝的4倍以上。可見，SiC模塊功率的提升，也意味著工作效率大大增加，從而能打造更優(yōu)質(zhì)的新能源汽車平臺(tái)。

隨著電動(dòng)汽車等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，功率器件的需求增長(zhǎng)迅速。以SiC為基礎(chǔ)的新一代功率器件有著體積小、耐壓大、頻率快等優(yōu)點(diǎn)，近幾年在新能源汽車領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注。Yole預(yù)測(cè)，在汽車市場(chǎng)的強(qiáng)力推動(dòng)下，2027年SiC器件市場(chǎng)將從 2021年的10億美元增長(zhǎng)到60億美元以上，對(duì)于高功率的SiC功率模塊的需求也將與日俱增。

業(yè)內(nèi)專家表示，在寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)中，目前碳化硅晶體的成熟度較高，因此碳化硅器件可采用同質(zhì)外延路線，并覆蓋目前市場(chǎng)上的全部電壓，可以超越硅器件目前6500V的水平，達(dá)到上萬(wàn)伏，在汽車功率器件中，未來(lái)市場(chǎng)前景十分光明。根據(jù)測(cè)算，到2025年，新能源車領(lǐng)域用碳化硅襯底市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到102億元，需求量達(dá)304萬(wàn)片。